型号 | SI2302CDS-T1-GE3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 |
SI2302CDS-T1-GE3 PDF | |
代理商 | SI2302CDS-T1-GE3 |
产品目录绘图 | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 57 毫欧 @ 3.6A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 850mV @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
功率 - 最大 | 710mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23-3(TO-236) |
包装 | 带卷 (TR) |
产品目录页面 | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SI2302CDS-T1-GE3TR |